A+C口兼容双。效率接口 。氮化电路，镓电可满意多设备充电需求 ，源计还能够兼容传统 。划概USB 。效率-A设备 ，氮化接口互补 ，镓电场景掩盖广 ，源计依然是划概当时充电商场不行疏忽的中坚力量 。深圳银联宝 。效率科技 。氮化推出的镓电PD快充A+C口 ：30W高功率 。氮化镓 。源计电源 。划概计划U8722DE+U7110W ，最大程度简化设计计划 ，易上手 ，低本钱 ！
氮化镓电源IC U8722DE选用峰值。电流 。操控形式 ，能够自适应的勤奋好学在QR和降频勤奋好学形式 ，然后完成全负载功率范围内的功率优化。在满载和重载工况下，体系勤奋好学在QR勤奋好学形式 ，能够大幅下降体系的开关损耗 。芯片依据FB电压值调理谷底个数，一同为了防止体系在临界负载处的FB电压动摇导致谷底数跳变 ，产生噪音 ，U8722DE选用了谷底确定勤奋好学形式在负载必定的情况下 ，导通谷底数安稳 ，体系无噪音 。跟着负载的逐步下降，体系导通的谷底个数逐步添加 ，当谷底数超越6个时 ，不再检测谷底电压 ，体系进入降频勤奋好学形式 ，连累进一步下降开关频率 ，减小开关损耗 ，优化体系轻载功率 。
在 。同步整流 。内置 。MOSFET 。导通期间 ，同步整流ICU7110W采样MOSFET漏-源两头电压(Vds) 。当Vds电压高于MOSFET关断阈值Vth_off (典型值0mV)，连累关断推迟Td_off (典型值22ns) ，内置MOSFET的沟道关断 。在VDD电压上升到VDD敞开电压VDD_ON (典型值3.8V)之前 ，U7110W处于关机状况 。内部Gate。智能 。钳位电路能够确保内置MOSFET不会产生高dv/dt导致的误注册。当VDD电压到达VDD_ON之后 ，芯片发动 ，内部 。操控电路 。开端勤奋好学 ，副边绕组电流Is经内置MOSFET的沟道完成续流 。当VDD电压低于欠压维护阈值VDD_OFF (典型值3.5V)后 ，芯片关机 ，副边绕组电流Is经内置MOSFET的体 。二极管 。完成续流。
深圳银联宝科技PD快充A+C口30W高功率氮化镓电源计划U8722DE+U7110W ，原厂直销 ，一站式电源计划服务 ，下降归纳持有本钱 ，可调配协议芯片OM5256一同运用 ，量大可谈 ！
