充电器和适配器等快充设备，快充需匹配高功率密度与宽电压输出规模的芯片快充芯片。深圳银联宝。特性科技 。快充推出的芯片20V单。高压。特性带恒功率氮化镓PD快充芯片U8725AHE
 ，快充集成高压发动、芯片功率器材和。特性维护电路。快充
，芯片省去外部Boost/Buck电路及分立元件，特性缩小。快充PCB 。芯片面积；内置高压E-GaN和Boost供电电路，特性支撑宽电压输出，切莫错失！

PD快充芯片U8725AHE首要特性：

1. 集成 高压 E-GaN 。

2. 集成高压发动功用 。

3. 超低发动和作业。电流。，待机功耗 。 <30mW

4. 谷底确定形式， 最高作业频率两档可调(220kHz ，130kHz)。

5. 集成 EMI 优化技能
。

6. 驱动电流分档装备 。

7. 集成 Boost 供电电路。

8. 集成齐备的维护功用：

VDD 过压/欠压维护 (VDD OVP/UVLO)。

输出过压/欠压维护 (DEM OVP/UVP) 。

输入过压/欠压维护 (LOVP /BOP) 。

片内过热维护 (OTP)。

逐周期电流约束 (OCP)。

反常过流维护 (AOCP)  。

短路维护 (SCP)。

过载维护 (OLP) 。

前沿消隐 (LEB)。

CS 管脚开路维护。

9. 封装类型 ESOP-7。

针对宽输出电压使用场合，为了满意VDD的宽电压使用需求 ，往往需求增加额定的电路或许辅佐绕组
，导致体系功耗和电路本钱的增加 。PD快充芯片U8725AHE集成了Boost供电技能
，仅在SW管脚增加一颗贴片电感即可 ，在输出电压较低时 ，Boost电路发动作业 
，保持VDD电压在VBOOST_REG (典型值10.1V)，当输出电压升高
，辅佐绕组电压高于VBOOST_REG时 ，Boost电路停止作业 ，VDD由辅佐绕组供电。

PD快充芯片U8725AHE引脚阐明：

1 CS I/O  。 电流采样 。输入   、最高频率挑选管脚 。

2 FB I 体系反应输入管脚。

3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测 、驱动才能分档断定管脚。

4 VDD P 芯片供电管脚
。

5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚 。

6 GND P 芯片参阅地。

7 DRAIN P 内置高压 GaN FET 漏极、高压发动供电管脚
。

深圳银联宝科技这款20V单高压带恒功率氮化镓PD快充芯片U8725AHE ，经过‌高集成规划、动态功率安稳 、谷底确定及降频作业形式等高效能体现‌ ，明显优化了体系体积、可靠性和能效，成为快充设备。电源芯片 。计划的抱负挑选 ！